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楼主: hgyf1983

仙童集成MOSFET PWM控制器(FPS)结温计算实例解析(连载中)

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发表于 2014-4-17 15:46:58 | 显示全部楼层
hgyf1983 发表于 2014-4-17 15:11
这篇实例分析的是在低压85Vac满载状态下的功率损耗。
1)MOSFET的导通损耗
请看低压满载MOSFET导通时的电 ...

森苦楼主啦~
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发表于 2014-4-17 17:37:22 | 显示全部楼层
非常强大,楼主真是给力
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发表于 2014-4-18 10:51:08 | 显示全部楼层
飞兆的mos我经常用,,
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 楼主| 发表于 2014-4-18 11:10:46 | 显示全部楼层
lougang 发表于 2014-4-18 10:51
飞兆的mos我经常用,,

太好了,分析结温时正好可以参考这篇文章。
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发表于 2014-4-18 11:20:27 | 显示全部楼层
hgyf1983 发表于 2014-4-18 11:10
太好了,分析结温时正好可以参考这篇文章。

很受用,多谢楼主~
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发表于 2014-4-18 11:45:43 | 显示全部楼层
大师,请问您还收弟子吗?
另外,Coss上的损耗跟MOSFET关断损耗是否有重叠的地方呢?
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 楼主| 发表于 2014-4-18 12:56:57 | 显示全部楼层
Fairchild_Marco 发表于 2014-4-18 11:45
大师,请问您还收弟子吗?
另外,Coss上的损耗跟MOSFET关断损耗是否有重叠的地方呢? ...

这位仁兄,你这是要陷我于不义啊?告诉你一个秘密,大师这个称呼在仙童深圳办事处只有詹姆士李才可以叫的,他要是知道了,会扁我的。
我觉得你这个问题很好。我个人觉得两者发生的时间是重叠的,但是能量不能说是重叠了。在MOSFET关断时,Coss是在储能,而关断损耗肯定发生了,所以你所说的重叠肯定不是发生在关断时刻,而是开通瞬间。开通时,MOSFET的VDS电压在VTH到米勒平台结束这段时间内放为零,开通损耗也在这段时间内完成,所以他们发生的时间是重叠的,但对能量而言,Coss本身会存储能量,这个能量会在开通瞬间消耗掉,coss对开通损耗而言,它会改变开通时MOSFET电压电流的斜率,从而改变开通损耗,只能说coss越大,coss本身存储的能量越大,开通交叉面积越大,开通损耗越大,反之,coss越小coss本身存储能量变小,开通损耗变小。这只是偶个人见解,不知大侠同意否?
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发表于 2014-4-18 15:18:37 | 显示全部楼层
按江湖上的规矩,尔等都是长老。
谢大师解惑,娓娓道来醍醐灌顶啊!
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发表于 2014-4-18 17:09:01 | 显示全部楼层
Fairchild_Marco 发表于 2014-4-18 15:18
按江湖上的规矩,尔等都是长老。
谢大师解惑,娓娓道来醍醐灌顶啊!

好想看大家掐起来,来个pk赛
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发表于 2014-4-18 17:36:36 | 显示全部楼层
下载下来,好好学习,好好 参考
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