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【电源课堂】从浅入深讲解Mos技术

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发表于 2015-1-11 18:09:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
1.MOSFET的驱动技术
简介:MOSFET作为功率开关管,已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件,其驱动表面上看来是非常简单,但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间,一点点来解析MOSFET的驱动技术,以及在不同的应用,应该采用什么样的驱动电路。
详解系列一
详解系列二

2.DC/DC电路中,MOSFET选型指引
简介:
MOS战场硝烟弥漫,而MOSFET在电源应用中却是非常重要的器件,那么怎么能在这边“战场”中选取你合适的武器呢?今天给大家简单介绍一下MOSFET在开关电源中的选型问题。

3.功率MOSFET雪崩应用指南

4.LLC谐振变换器中MOSFET失效模式的分析

5.MOSFET线性工作模式下实现稳定性的考虑因素

6.快速开关超结MOSFE的驱动和布局设计

7.如何选取合适的MOSFET
简介:
近年来,随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展,功率MOSFET备受关注。MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中,对于工业市场而言,较高的电流会增加系统中的能量损耗,举例对电力公司来说,这会导致输电过程中的过量浪费。而要达到完全相同的输出功率,功率因数较低的负载比功率因数较高的负载会消耗更多无功电流。所以,为功率因数校正应用,选择合适的MOSFET器件尤其重要。
8.MOS管击穿原因和防护措施
简介:MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。
http://www.fairchildic.org/module/forum/thread-423-1-1.html

9.MOSFET的主要参数

10.IGBT/MOSFET各种失效原因
简介:
因为控制错误或者负载过大,导致超出其工作点范围的集电极或漏极电流。它可以通过以下机制损坏半导体功率:
1)过高的功耗导致热损坏
2)动态雪崩击穿损坏
3)静态或动态闭锁效应(Latch-up)
4)由于故障电流导致的过电压

11.MOS发热原因分析
简介:
做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到场效应管,也就是人们常说的MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中, MOS管的开关速度应该比三极管快。

12.仙童集成MOSFET PWM控制器(FPS)结温计算实例解析
简介:
仙童FPS(集成PWM控制器和MOSFET)目前在市场上应用的非常广泛,如LED TV 辅助电源;智能电表;家用电器;DVB/DVD等。因为应用广泛,所以对器件进行可靠性分析尤为重要。可靠性分析里面一个重要的指标就是IC的结温分析。下面就以具体实例来分析仙童FPS FSL137在最严酷环境下的结温

13.CMOS与TTL输入端过多的几种解决办法

14.CMOS电平和TTL电平的区别


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发表于 2015-1-11 18:25:07 | 显示全部楼层
第一个来点赞!!!!
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发表于 2015-1-11 18:25:28 | 显示全部楼层
没周都可以看到小老虎的汇总帖,辛勤的小老虎~~~
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发表于 2015-1-11 18:25:42 | 显示全部楼层
感谢~~~
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发表于 2015-1-11 22:01:38 | 显示全部楼层
很不错的汇总帖,方便学习参考
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发表于 2015-1-12 14:49:04 | 显示全部楼层
好帖,学习,感谢分享
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发表于 2015-1-15 11:43:42 | 显示全部楼层
谢谢分享
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发表于 2015-1-15 19:46:44 | 显示全部楼层
至少要留个记号,慢慢理解。
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发表于 2015-1-15 21:24:03 | 显示全部楼层
不过,最后一篇和主题,有关系?
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发表于 2015-1-22 15:03:00 | 显示全部楼层
多谢鹳狸猿的总结
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