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MOSFET的驱动技术详解(2)

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发表于 2013-8-22 10:00:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
因为MOS这一块内容是在比较多,所以就分了两块,上一个专题大家可以查阅MOSFET的驱动技术详解(1)
本专题主要和大家探讨一下那么驱动的快慢对MOS的开关有什么影响呢?
下图是MOS导通时候DS的电压:
1.jpg
红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。
下图是电流波形:
2.jpg
红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大,MOS的导通速度越慢。
可以看到,驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度,对EMI有好处。
下图是对两个不同驱动情况下,MOS的DS电压波形做付利叶分析得到:
3.jpg
红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,高频谐波明显变小。 但是驱动速度慢,又有什么坏处呢?那就是开关损耗大了,下图是不同驱动电阻下,导通损耗的功率曲线。
4.jpg
红色的是R3=1欧姆,绿色的是R3=100欧姆。可见,驱动电阻大的时候,损耗明显大了。

结论:驱动电阻到底选多大?还真难讲,小了,EMI不好,大了,效率不好。所以只能一个折中的选择了。
那如果,开通和关断的速度要分别调节,怎么办?就用以下电路。
5.jpg



相关阅读:

MOSFET的驱动技术详解(1)

【强强联合】MOS的深层次剖析

MOS战场硝烟弥漫—DC/DC电路中,MOSFET选型指引



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发表于 2013-8-22 11:01:48 | 显示全部楼层

RE:MOSFET的驱动技术详解(2)

讲的真好,
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 楼主| 发表于 2013-8-22 15:58:23 | 显示全部楼层

回复:MOSFET的驱动技术详解(2)

回复第 2 楼 于2013-08-22 11:01:48发表:
讲的真好,

谢谢~~下回你也讲讲才是啊~
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发表于 2013-8-27 15:20:12 | 显示全部楼层

RE:MOSFET的驱动技术详解(2)

好!
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发表于 2013-9-20 10:47:26 | 显示全部楼层

RE:MOSFET的驱动技术详解(2)

楼主讲的真好,最后两个图没看懂,为什么快恢二极管串上1K的电阻呢?
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发表于 2013-10-6 21:20:11 | 显示全部楼层

RE:MOSFET的驱动技术详解(2)

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发表于 2013-12-6 12:50:17 | 显示全部楼层

回复:MOSFET的驱动技术详解(2)

正好用到
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发表于 2013-12-27 14:27:48 | 显示全部楼层

RE:MOSFET的驱动技术详解(2)

顶一下,麻烦问下,您用的哪个电路仿真啊?是multisum还是哪个?
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发表于 2014-3-9 21:28:34 | 显示全部楼层

回复:MOSFET的驱动技术详解(2)

MOSFET驅動想不到那麼多要考慮的點.....

謝謝樓主分享  來看看
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发表于 2016-1-14 10:10:31 | 显示全部楼层
楼主讲的真好,最后两个电路哪一个是开通,哪一个是关断呀
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