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CMOS开关电路原理

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发表于 2014-6-3 15:44:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
图1为CMOS模拟开关电路原理图。它克服了NMOS模拟开关电路Ron虽vI增大而增大的缺点,扩大输入信号幅度的范围;而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路,消除NMOSFET的衬底效应对Ron的影响。
  
  图1 CMOS开关电路原理
  假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”,低电平VCL=-Vss(取Vss=VDD)为逻辑“0”.T1衬底电压VB1=-Vss,T2衬底电压VB2=VDD.从图可知,vc直接输送到T1的栅极,而T2的栅极电压是vc经非门(T3、T4组成)倒相后的电压。当vc=“1”时,VG1=VDD,VG2=-Vss.所以当vI为接近-Vss低电平时,vGS1=(vG2-vI)=(VDD-vI)>VT,T1完全导通,vGS2=(vG2-vI)=(Vss-vI),即vGS2<VT,T2截止,iD2=0;反之,当vI为接近VDD高电平时,则T2完全导通,T1截止。而当vc=“0”时,T1、T2均截止。由于开关闭合时,T1和T2并联,互相补偿,使vI在-Vss~VDD范围内变化,Ron基本不变。CMOS开关Ron与vI的关系如图2所示。
  为了消除NMOSFET的衬底调制效应对Ron的不良影响,
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发表于 2014-6-5 07:59:10 | 显示全部楼层
学习学习。。。
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发表于 2014-6-8 15:21:18 | 显示全部楼层
学习,天天进步
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发表于 2014-6-10 16:08:55 | 显示全部楼层
好好学习天天向上
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发表于 2014-6-11 08:27:09 | 显示全部楼层
好好学习,每天都进步
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发表于 2015-6-2 23:46:13 | 显示全部楼层
近期正在设计一个开关电路,过来学习下!
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发表于 2015-12-27 17:06:56 | 显示全部楼层
凌乱中,来理清思路,看看!!
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发表于 2016-6-7 13:47:42 | 显示全部楼层
有用,看看
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发表于 2016-6-23 08:12:34 | 显示全部楼层
ghsdfhagawergrgterg
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