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IGBT/MOSFET各种失效原因

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发表于 2014-6-30 17:36:18 | 显示全部楼层 |阅读模式
因为控制错误或者负载过大,导致超出其工作点范围的集电极或漏极电流。它可以通过以下机制损坏半导体功率:
1)过高的功耗导致热损坏
2)动态雪崩击穿损坏
3)静态或动态闭锁效应(Latch-up)
4)由于故障电流导致的过电压


过电流
特点:
通常比较低的集电极电流变化率(取决于负载电感,驱动电压)
故障电流流过直流母线
晶体管一直在饱和区
原因:
负载阻抗的减少
换流器中的控制和调节错误




短路电流
特点:
非常高的集电极电流上升率
故障电流流过直流母线
晶体管不离开饱和区
原因:
桥臂支路短路(由于开关故障引起、由于开关错误的驱动脉冲引起)
负载短路由于绝缘失效、“人为” 失误(不正确的连接布线等))





过电压
对于换流回路,原则上可以把过电压分为电源外部和内部过电压。“外部过电压”是指在电网环境极其恶劣的环境中。类似的情况还有直流母线电压瞬间超高(例如,通过反馈型负载的变化或脉冲整流器的控制错误而引起)。
“内部过电压”是因为功率开关关断时换流回路的电感L造成的,或因为开关过程中引起的震荡而产生的。



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发表于 2014-6-30 17:52:33 | 显示全部楼层
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