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仙童知识大闯关,表示对答案有疑问

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发表于 2014-9-24 19:01:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
1964 年是仙童飞跃的一年,成立没几年的初创公司,芯片销售额就超过了摩托罗拉、
RCA、GE 等。以下哪些是该年发生的?
A.第一个晶体管静态主从触发器
B.第一个商用TTL 逻辑
C.P 沟道增强型MOS
D.NPN 晶体管

版主给的答案是:ABCD。
但是根据仙童的历史,
仙童历史长河里的瑰宝http://www.fairchildic.org/article/id-%E4%BB%99%E7%AB%A5?p=1 1964年,采用薄膜发射极电阻技术的NPN 平面功率晶体管做法为业界首创,发明第一个晶体管静态主从触发器,推出第一个商用TTL逻辑。

没有看到有关于PMOS管的信息。
百度了下,1969年:英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅介质,但是引入了新的多晶硅电极
对这个答案有疑问,我觉得应该是ABD

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发表于 2014-9-25 07:49:48 | 显示全部楼层
我也表示赞同。我给的答案也是ABD。
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发表于 2014-9-25 08:46:00 | 显示全部楼层
这个算是没有定论的范畴吧  每个公司都喜欢自吹自擂 什么新技术都是我先发明的╮(╯▽╰)╭
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 楼主| 发表于 2014-9-25 09:20:33 | 显示全部楼层
我觉得还是应该实事求是的,英特尔也是仙童的八逆出走创立的
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发表于 2014-9-25 09:24:17 | 显示全部楼层
嘿嘿,首先感谢大家看答案了,这一题,我会尽快确认答案,给个解释了
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发表于 2014-9-25 10:17:32 | 显示全部楼层
哈哈 ,这个表示赞同
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发表于 2014-9-25 12:52:50 | 显示全部楼层
In 1959 M. M. (John) Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs achieved the first successful insulated-gate field-effect transistor (FET), which had been long anticipated by Lilienfeld, Heil, Shockley and others (1926 Milestone) by overcoming the "surface states" that blocked electric fields from penetrating into the semiconductor material. Investigating thermally grown silicon-dioxide layers, they found these states could be markedly reduced at the interface between the silicon and its oxide in a sandwich comprising layers of metal (M - gate), oxide (O - insulation), and silicon (S - semiconductor) - thus the name MOSFET, popularly known as MOS. As their device was slow and addressed no pressing needs of the telephone system, it was not pursued further. In a 1961 memo, however, Kahng pointed out its potential "ease of fabrication and the possibility of application in integrated circuits." But researchers at Fairchild and RCA did recognize these advantages. In 1960 Karl Zaininger and Charles Meuller fabricated an MOS transistor at RCA and C.T. Sah of Fairchild built an MOS-controlled tetrode. Fred Heiman and Steven Hofstein followed in 1962 with an experimental 16-transistor integrated device at RCA.

The MOS transistor conducting region is either p-type (making it a "p-channel" device) or n-type ("n-channel" device) material. The latter are faster than p-channel but are more difficult to make. MOS devices hit the commercial market in 1964. General Microelectronics (GME 1004) and Fairchild (FI 100) offered p-channel devices for logic and switching applications; RCA introduced an n-channel transistor (3N98) for amplifying signals. Because of their smaller size and lower power consumption than bipolar devices, over 99 percent of microchips produced today use MOS transistors. Achieving such ubiquity took decades of effort. (1964 Milestone)
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发表于 2014-9-25 13:00:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 gaon2 于 2014-9-25 13:09 编辑

1964 Fairchild. The first general purpose metal-oxide-semiconductor (mos)  device  a transistor  featuring  P-channel enhancement.
1964 milestoneFirst Commercial MOS IC Introduced
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发表于 2014-9-25 15:02:53 | 显示全部楼层
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发表于 2014-9-25 15:20:49 | 显示全部楼层

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