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楼主: ImCQ

LLC的原理分析(中文版)-飞兆

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发表于 2014-12-24 15:37:04 | 显示全部楼层
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发表于 2014-12-31 20:11:41 | 显示全部楼层
刚接触,来学习一下~
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学习一下,谢谢分享!
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发表于 2015-1-3 21:44:16 | 显示全部楼层
开关电源EMI整改中,关于不同频段干扰原因及抑制办法:

  1MHZ以内----以差模干扰为主

  1.增大X电容量;

  2.添加差模电感;

  3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。

  1MHZ---5MHZ---差模共模混合

  采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,

  1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;

  2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;

  3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。

  5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。

  对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;

  可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环。

  处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

  对于20--30MHZ。

  1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;

  2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;

  3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。

  4.改变PCB LAYOUT;

  5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;

  6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;

  7.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

  8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。

  9. 可以用增大MOS驱动电阻。

  30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起
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  1.可以用增大MOS驱动电阻;

  2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;

  3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决;

  4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;

  5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;

  6.在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE;

  7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;

  8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;

  9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。

  50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起

  1.可以在整流管上串磁珠;

  2.调整输出整流管的吸收电路参数;

  3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻;

  4.也可改变MOSFET,输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。

  5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。

  200MHZ以上开关电源已基本辐射量很小,一般可过EMI标准


  于EMI我只知道尽量将有高频电流流过的铜箔做在线路板内侧,将流过直流电的铜箔或是低频电流的铜箔放在外侧,高频大电流铜箔尽量短,自己用EMC的仪器测试都没有什么问题,当然低端的用Pai型滤波就可以,20W以上则要变压器屏敝+共模电感,当有Y电容时,后级纹波的大小对EMI影响较大。另外变压器用铜箔屏敝比绕线效果要好很多。..成本也低。反馈电路有谐振时EMI也很难过,特别是从变压器中出来的一串串高频尖峰电压,会使该频段的MEI数值上升10甚至20DB以上,这在恒流开关电源中比较常见。单是怎样把环路面积做到最少,就是很难的问题,共模滤波部分跟初级怎样布局,大电解电容怎样放置,散热器器怎么做,接地应该怎么样接,都需要考虑,X电容与Y电容的排法,都很有讲究。如:共模电感下面不要走初级的任何铜线,但滤波电路可以通过,如果有PFC电感,这个电感离共模电感要远,而且这个电感下面最好不要放置控制IC,特别是CRM模式的PFC.
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发表于 2015-1-4 08:26:14 | 显示全部楼层
顶一下!幸苦了!
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发表于 2015-1-4 09:49:34 | 显示全部楼层
谢谢楼主
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发表于 2015-1-4 16:30:11 | 显示全部楼层
的顶顶顶顶顶的顶顶顶顶顶的
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