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MOSFET驱动芯片2110总是被击穿怎么解决?

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新手上路

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发表于 2015-1-12 17:14:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近在做全桥DCDC变换器,采用了两片IR2110驱动全桥,在输入电压是60V的时候,输出电压是正常的,但输入电压到100V之后,IR2110就被击穿了,然后MOSFET也裂开了。在60V输入的时候,变压器原边输入的电压振铃还是蛮严重的,所以我觉得可能是2110的Vs端跟全桥同一桥臂的中间连接,当输入100V的时候,振铃产生的尖峰电压击穿了2110,想在桥臂的中间加个400V的稳压管,不知道这样能不能解决,因为我的输入最高是400V。求专家指导!


这是我的驱动电路

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论坛元老

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发表于 2015-1-12 17:26:40 | 显示全部楼层
替楼主补充一下问题:飞兆有没有400V的稳压管?
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论坛元老

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发表于 2015-1-13 08:46:02 | 显示全部楼层
网友闲云孤鹤回复:
看这个MOSFET输出级是否有瞬间MOSFET同时导通的现象?也就是“死区”时间是否合理?用示波器双踪进行监测!做法是先去掉MOSFET管,示波器的探头接MSFET的“G”极焊盘上,调好“死区时间”后,再连接上MOSFET进行带载测试!
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