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功率MOSFET的栅极模型

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发表于 2015-3-13 15:35:04 | 显示全部楼层 |阅读模式


功率MOSFET的栅极模型



     通常从外部来看,MOSFET是一个独立的器件,事实上,在其内部,由许多个单元(小的MOSFET)并联组成。MOSFET的结构确定了其栅极电路为RC网络。      在MOSFET关断过程中,MOSFET的栅极电压VGS下降,从其等效模型可以得出,在晶元边缘的单元首先达到栅极关断电压VTH而先关断,中间的单元由于RC网络的延迟作用而滞后达到栅极关断电压VTH而后关断。
      如果MOSFET所加的负载为感性负载,由于电感电流不能突变,导致流过MOSFET的电流向晶元的中间流动。这样就会造成MOSFET局部单元过热而导致MOSFET局部单元损坏。如果加快MOSFET的关断速度,以尽量让MOSFET快速关断,不让能量产生集聚点,这样就不会因局部单元过热而损坏MOSFET。注意到:MOSFET的关断过程是一个由稳态向非稳态过渡的过程,与此相反,MOSFET在开通时,由于负载的电流是随着单元的逐渐开通而不断增加的,因此是一个向稳态过渡的过程,不会出现关断时产生的能量集聚点。
      因此,MOSFET在关断时应提供足够的放电电流让其快速关断,这样做不仅是为了提高开关速度而降低开关损耗,同时也是为了让非稳态过程尽量短,不至产生局部过热点。







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 楼主| 发表于 2015-3-13 15:35:28 | 显示全部楼层
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发表于 2015-3-13 16:17:45 | 显示全部楼层
好东西啊,赞一个

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发表于 2015-3-16 20:52:27 | 显示全部楼层
解释的很简便
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