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功率MOSFET雪崩击穿问题分析,分析的很赞

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发表于 2015-8-17 16:09:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比,反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用,而电气量变化却十分复杂。寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用,寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。在MOSFET发生雪崩击穿时,器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
1.jpg
资料下载: 功率MOSFET雪崩击穿问题分析.pdf (126.18 KB, 下载次数: 11)
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发表于 2015-9-6 12:28:07 | 显示全部楼层
很实用,谢谢楼主分享
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发表于 2015-12-24 11:03:42 | 显示全部楼层
不错不错!
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