搜索
查看: 857|回复: 5

【活动】仲夏狂欢 IGBT学习季火爆来袭

[复制链接]

39

主题

106

帖子

329

积分

中级会员

Rank: 3Rank: 3

积分
329
发表于 2016-7-18 14:55:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
文章摘自:LED社区-与非网

仲夏狂欢
IGBT驱动器学习季火爆来袭~~~

IGBT驱动器作为大功率电源重要部分,它不仅影响了IGBT的动态性能,同时也影响换流系统的成本和可靠性。所以知道IGBT驱动器至关重要!!!

Power Integrations公司是用于高能效电源转换的高压模拟集成电路业界的领先供应商,推出了业界最齐全的IGBT驱动器产品,几乎涵盖每一种应用。
所谓活到老,学到老,今天我们也来见识一下PI SCALE-iDriver系列SID11x2K工作原理吧!


活动时间:
2016718-2016724

参与方式:
1.阅读文章(见附件)
IGBT的栅极特性和SID11x2K的简要介绍-1.docx(133.11 KB, 下载次数: 16)
2.跟帖答题,题目如下:
1)预防IGBT栅极过电压的有效措施有哪些?
2) IGBT 关断时给其栅-射极施加一定的负偏压有何作用?
3) IGBT开通时,实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 是何原因引起,如何预防?
4) SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器,峰值输出驱动电流与最高开关频率是多少?
5) IGBT驱动芯片SID11x2K比MC33153有哪些优点?


获奖规则:
1.全部答对才能参与抽奖(允许无限次修改哦,管理员每天会告诉你还有哪边需要修改,这么负责的管理员哪里有
2.首个参加并且全部答对的小伙伴直接获得20元京东券一张
拼速度的时候来了
3.其他的小伙伴随机抽取5获得10京东券一张
(内容简单,答案手到擒来

为了让网友更high,我们加大奖品力度,在楼层中设置了2份神秘大奖,拼人品的时候到了
隐藏的楼层将以加密附件上传,活动结束及公布密码
隐藏获奖楼层.zip(11.42 KB, 下载次数: 4)


另外,再通知一下小伙伴们,夏日送清凉学习IGBT驱动器活动,我们还会举办第二期,届时会有更加精美的奖品送出,敬请关注。

回复

使用道具 举报

0

主题

117

帖子

1704

积分

金牌会员

Rank: 6Rank: 6

积分
1704
发表于 2016-7-19 08:19:50 | 显示全部楼层
1)预防IGBT栅极过电压的有效措施有哪些?
通常采用绞线来传送驱动信号, 以减小连线电感.在栅极连线中串联小阻值电阻或小磁环也可以抑制不希望的振荡电压。在栅-射极间并联反串联的稳压管或旁路电阻也是吸收栅极过电压的有效措施。
2) IGBT 关断时给其栅-射极施加一定的负偏压有何作用?
有利于提高IGBT 装置的抗干扰能力, 对提高IGBT关断时能承受的电压上升率也有较大的作用
3) IGBT开通时,实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 是何原因引起,如何预防?
由于LE 和CGC的存在,在IGBT 的实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 这种阻碍驱动电压上升的效应, 表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了减缓此效应, 应使IGBT 模块的LE 、CGC 及栅极驱动源的内阻尽量小, 以获得较快的开通速度。
4) SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器,峰值输出驱动电流与最高开关频率是多少?
开关频率最高250 kHz
5) IGBT驱动芯片SID11x2K比MC33153有哪些优点?
SID11x2K高度集成,封装紧凑。它具有独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流;集成的FluxLink™技术为原方与副方提供可靠绝缘稳定的轨到轨输出电压;副方供电为单极电源电压;适合600 V/650 V/1200 V IGBT和MOSFET功率开关;开关频率最高250 kHz;传输延迟时间非常短,仅为260 ns;传输延迟抖动±5 ns;工作环境温度介于-40°C至125°C之间;具有较高的共模瞬态抗扰性;采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装;完全符合各项安规要求。
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

15

帖子

77

积分

注册会员

Rank: 2

积分
77
发表于 2016-7-19 14:39:46 | 显示全部楼层
1)预防IGBT栅极过电压的有效措施有哪些?
通常采用绞线来传送驱动信号, 以减小连线电感。在栅极连线中串联小阻值电阻或小磁环也可以抑制不希望的振荡电压。在栅-射极间并联反串联的稳压管或旁路电阻也是吸收栅极过电压的有效措施。

2) IGBT 关断时给其栅-射极施加一定的负偏压有何作用?
有利于提高IGBT 装置的抗干扰能力, 对提高IGBT关断时能承受的电压上升率也有较大的作用。IGBT栅—射极间所加的负偏压通常取5 ~ 10 V 。有些厂家认为它们的IGBT 元件有较强的抗干扰能力, 也可不加负偏压。但在IGBT 关断时, 施加适当的负偏压一般不会有不利的影响。

3) IGBT开通时,实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 是何原因引起,如何预防?
IGBT的栅-射和栅-集极间存在着电容CGE和CGC , 在它的射极回路中存在着漏电感LE , 由于这些分布参数的影响, 使得IGBT的驱动波形与理想驱动波形产生了较大的变化, 并产生了不利于IGBT开通的因素。
      由于LE 和CGC的存在,在IGBT 的实际运行中UGE 的上升率减缓了许多, 这种阻碍驱动电压上升的效应, 表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了减缓此效应, 应使IGBT 模块的LE 、CGC 及栅极驱动源的内阻尽量小, 以获得较快的开通速度。

4) SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器,峰值输出驱动电流与最高开关频率是多少?
峰值输出驱动电流可达8 A,
开关频率最高250 kHz。

5) IGBT驱动芯片SID11x2K比MC33153有哪些优点?
1,SID11x2K还具有原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈,采用VCESAT监控和故障反馈二极管或电阻串的短路保护,高级软关断(ASSD)等先进的保护/安全功能。
2,SID11x2K高度集成,封装紧凑。
3,它具有独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流;集成的FluxLink™技术为原方与副方提供可靠绝缘稳定的轨到轨输出电压;副方供电为单极电源电压;适合600 V/650 V/1200 V IGBT和MOSFET功率开关;开关频率最高250 kHz;传输延迟时间非常短,仅为260 ns;传输延迟抖动±5 ns;工作环境温度介于-40°C至125°C之间;具有较高的共模瞬态抗扰性;采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOPV/650 V/1200 V IGBT和MOSFET功率开关;开关频率最高250 kHz;传输延迟时间非常短,仅为260 ns;传输延迟抖动±5 ns;工作环境温度介于-40°C至125°C之间;具有较高的共模瞬态抗扰性;采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装;完全符合各项安规要求。
回复 支持 反对

使用道具 举报

47

主题

56

帖子

300

积分

中级会员

Rank: 3Rank: 3

积分
300
发表于 2016-7-19 14:42:57 | 显示全部楼层
wujianwei3980-5 发表于 2016-7-19 08:19
1)预防IGBT栅极过电压的有效措施有哪些?
通常采用绞线来传送驱动信号, 以减小连线电感.在栅极连线中串联小 ...

答错地方了
在这
http://ledlight.eefocus.com/module/forum/thread-594919-1-1.html
回复 支持 反对

使用道具 举报

0

主题

117

帖子

1704

积分

金牌会员

Rank: 6Rank: 6

积分
1704
发表于 2016-7-21 08:34:32 | 显示全部楼层
bobbi 发表于 2016-7-19 14:42
答错地方了
在这
http://ledlight.eefocus.com/module/forum/thread-594919-1-1.html

谢谢,已经答了
回复 支持 反对

使用道具 举报

叶落花开 该用户已被删除
发表于 2016-8-26 18:26:05 | 显示全部楼层
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

小黑屋|手机版|Archiver|EEFOCUS

GMT+8, 2018-1-19 21:08 , Processed in 0.425283 second(s), 14 queries , MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表