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【银联宝科技】计算占空比时,温度有何影响

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发表于 2017-5-24 16:45:34 | 显示全部楼层 |阅读模式
一般开关电源控制芯片IC工作在非常靠近特性参数限值时,其重要的寄生参数不能忽略,而且还需要考虑温度变化因素。因为温度变化将影响效率,从而影响所需的占空比。

温度对开关电源效率的影响也是很难预期估计的,因此温度变化对占空比的影响也很难
估计。温度升高使有些损耗升高,而有些损耗降低。然而保守估算中,最少应考虑温度升高时对MOSFET管导通压降的影响。低压MOSFET(额定值约为30V),当开关管温度从室温到发热时,RDS(导通阻抗)一般将会增加30%~50%,故一般将室温下的导通阻抗乘以1.4便可得到发热时的导通阻抗。而通常用于离线式开关电源的高压MOSFET中,RDS增加达到80%~100%。所以在求取发热时的导通阻抗时,应乘以系数1.8。
    银联宝科技是一家二十年技术专注的公司,近年来根据市场的变化,专门针对中小电源厂细分市场提供一站式电源方案服务。


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