DRAM合约价酝酿反弹 暂无崩盘之忧

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DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%,随著现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,存储器模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计,2月DRAM合约价涨幅目标是至少5%。

 

存储器模块厂指出,这一波DRAM报价止跌系由现货价当领头羊,预期3月PC厂还会有一波备货潮,DRAM现货价至少还有10~20%上涨空间,2月合约价亦成功被现货价带动止跌。目前2GBDDR3模块合约价约16美元,未来有机会重返20美元大关,若PC厂将内建存储器容量从2GB提升至4GB,价格约40美元,不超过1台PC成本10%上限,客户升级存储器意愿将大增。

 

存储器业者表示,这是继2010年第4季DRAM合约价大跌50%之后,合约市场首度飞来春燕,亦是DRAM产业落底讯号,以目前PC客户库存来看,虽称不上是偏低,但已趋于健康水位,预计再过1~2个月库存会逐渐偏低,加上每年3月都是PC厂开始备库存季节,以及英特尔(Intel)SandyBridge瑕疵芯片组在第1季末会全数更换重新出货,亦将刺激PC厂积极备货,3月底前补货潮可望延续这一波价格反弹走势。

 

存储器模块厂认为,DRAM价格3月底前还有10~20%反弹空间,但不希望一举涨太高,1GbDDR3芯片将反弹至1.3~1.4美元,2GbDDR3则反弹至2.5~2.6美元水平,都算是合理价位,在此价格区间,DRAM厂可以开始赚钱,模块厂拥有合理库存利益,下游客户亦不至于抗拒,避免重蹈2010年DDR3一下子涨过头,导致PC厂马上又开始大砍存储器容量覆辙。

 

在供给端方面,存储器业者表示,2011年最特殊现象就是各种存储器如MobileRAM、NANDFlash、SDRAM互抢产能,间接排挤标准型DRAM供给。其中,智能型手机和平板计算机需求兴起,刺激MobileRAM和NANDFlash需求,Google与Facebook等云端服务服务器对于存储器需求高达20~30GB,而3DTV亦带动SDRAM需求升温,游戏机热潮则带动绘图卡存储器(GDDR)需求增加。

 

由于全球存储器产能不会再明显往标准型DRAM靠拢,既有产能开始有很多产品选择,这是过去存储器产业相当少见情况,未来标准型DRAM是否能跳脱供过于求泥淖,仍要观察各家厂商40及30纳米制程产能放量之后的整体供需结构。