分析师:NAND闪存市场或将“崩盘”

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在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上,海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。

        在一段时间内,由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求,NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。

        但是不要看现在,NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂,此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。

        Objective-Analysis分析师Jim Handy表示:“我们一直估计下半年(NAND市场)将要崩盘。”

        NAND市场需求预计仍将保持较强水平。Handy在ISSCC大会上表示,NAND平均销售价格(ASP)在过去一年中一直保持平稳,但是平均销售价格预计将在2011年第四季度“瓦解”。

        目前,NAND闪存的每GB售价为1.6美元。到2012年中,这一价格预计将下降至0.65美元,降幅达40%。

         美光公司正在新加坡兴建新的NAND晶圆工厂。东芝公司日前启动了名为Fab 5的晶圆厂。此外有报道称三星也将启用新的名为Line 16的晶圆厂。

          与此同时,在ISSCC大会上,东芝和SanDisk提交了一份关于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技术的设备材料。

          海力士则谈到了他们基于该24nm的32Gb MLC产品线。市场领导者三星公司则谈到了64Gb、基于27nm的3bpc产品线。