士兰微电子推出新一代高压MOSFET——F-CellTM系列

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 士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品,工作电压可以覆盖400V—900V区间,工作电流在1A—18A之间,可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性;具有高可靠性,高效率,高EAS能力,导通电阻低,动态参数优等特点,已被广泛应用于LED 照明、AC-DC功率电源、DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。

F-CellTM产品采用了尺寸较小的保护环结构,这样在相同规格的条件下,F-CellTM产品具有相对较小的芯片面积,这一优势能有效增加芯片的利用率且降低芯片的制造成本。

F-CellTM产品优化了栅氧化层的厚度和制程质量,提高了栅源击穿电压,从而提高了产品可靠性及稳定度;其突出表现在F-CellTM产品在经过HTRB可靠性试验后,IDSS仍然可以维持在几nA的高水平,这保证了F-CellTM器件在长时间工作的高可靠性。

此外,F-CellTM产品通过在设计及制程上的演进,优化了原胞结构,有效减小了JFET效应,使得器件的单位面积导通电阻有明显减小,从而降低了器件的静态损耗;另外,通过对多晶栅进行重掺杂处理,提高了器件的响应速度,从而提高转换效率及降低开关动态损耗。

经过客户的实际的整机生产及验证结果,士兰微电子F-CellTM高压MOSFET产品已达先进的平面工艺的水平,并与其他知名大厂性能上互相匹配,且已陆续导入大量且稳定生产中。