硅基GaN担当下一阶段LED成本下降的重任

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 近日,韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc K465i MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。

  对此,Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J. Miller表示:“Veeco被选中作为三星SAIT研究硅氮化镓,并商品化这项技术用于大批量制造氮化镓功率器件,我们认为是巨大的战略研发上的胜利。”

  硅基氮化镓成为下一阶段降低LED成本的利器

  3月25日,台积电旗下创投VTAF公司投资的美国Bridgelux(普瑞光电)正式对外宣布,该公司运用「氮化镓上硅」(GaN-On-Silicon)的LED技术,已达成每瓦135流明之效能。这代表Bridgelux在硅半导体基板LED技术方面,已成为业界第1家达到商品化等级效能的厂商。

  根据Bridgelux研究,氮化镓上硅LED的效能,足以媲美12至24个月前推出的顶级蓝宝石基板LED。预估未来2至3年内,应用于商业市场的氮化镓上硅LED产品,就能上市销售。

  同时Bridgelux还认为,若能在直径更大、成本较低廉的硅晶圆上生成氮化镓,并采用与现代半导体生产线相容的制程,则LED磊晶产品之成本,可望将较现有制程有效降低75%。