美高森美推出新一代1200V非穿通型系列的三款IGBT新产品

分享到:

 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8™ 技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品,比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。

美高森美的1200V解决方案可与其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二极管组合封装,为工程师提供高集成度解决方案,以便简化产品开发工作。其它特性包括:

· 相比竞争产品,栅极电荷(Qg)显著减少,具有更快的开关性能;

· 硬开关运行频率大于80 KHz,实现更高效的功率转换;

· 易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性;

· 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作

此外,美高森美将于短期内提供采用SOT-227封装的APT85GR120JD60器件,包含了一个60A反并联(anti-parallel)超快恢复二极管,采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。

封装和供货

美高森美公司的APT85GR120B2晶体管采用TO-247 MAX封装,APT85GR120L采用TO-264封装,APT85GR120J则采用SOT-227封装。美高森美新型NPT IGBT器件已完全满足性能要求并在产,客户可通过当地经销商或美高森美销售代表获取样品。

论坛已做迁移,有相关技术资料和问题讨论可以到电路城对应版块(“模拟/电源”)
X