半导体厂先进制程进度

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半导体厂先进制程布局在28奈米阶段被炒热,主要是受惠通讯晶片对于省电、高效能的要求,使得28奈米需求旺盛。2012年仅台积电有产能,但仍无法满足大客户需求,到2013年初,台积电28奈米制程的产能已扩增倍数,目前单月产能约7万片12寸晶圆。

 

台积电28奈米产能开出之际,同业也积极拉升28奈米良率,以卡位第二供应商策略进入战场,日前GlobalFoundries的良率大幅提升,已抢下高通(Qualcomm)、联发科等订单。

 

在28奈米制程以下是20奈米制程,但部分客户转进意愿不高,因为20奈米制程技术仍是停留在平面式电晶体的设计,成本下降速度不及增加的投资金额,因此宁愿暂时以28奈米为主,之后在转进3D架构电晶体FinFET技术。

 

FinFET技术最早是英特尔(Intel)在22奈米制程导入,未来14奈米也会延续,台积电计划在16奈米制程导入FinFET技术、GlobalFoundries在14奈米制程导入、三星电子则预计从14奈米导入FinFET技术,联电的FinFET技术从计划从20奈米切入,会与IBM合作加速其进度。

 

 

 

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