FDD850N10LD BoostPak (N 沟道PowerTrench ® MOSFET + 二极管)

更新时间 2014-12-29

标签:FDD850N10LD

此N 沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。NP 二极管为超快速整流器,具有低正向压降和出色的开关性能。

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中文文档 FDD850N10LD 1.0 987.76KB 71
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