快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计

更新时间 2014-12-10

功率 MOSFET 技术继续朝着更高单元密度和低导通电阻 发展。然而,由于导通电阻的大小会随阻断电压的增大 而呈指数增长,因此使用传统平面 MOSFET 技术显著减 小导通电阻时就存在硅限制。克服硅限制的其中一个努 力是在高电压功率 MOSFET 中采用超级结技术。超级结 技术可同时显著降低导通电阻和寄生电容,而其通常存 在权衡取舍。由于寄生电容较小,这些超级结 MOSFET 具有极快的开关特性,从而可以降低开关损耗。当然, 这种开关行为会产生 较大的dv/dt 和 di/dt ,dv/dt 和 di/dt 通过器件和印制电路板中的寄生元件影响开 关性能。开关行为还与系统的 EMI 性能有关。因此, 优化的设计对操作高速 MOSFET 非常重要。本应用指南 的目的是讨论与快速开关 MOSFET 开关性能有关的驱动 方法和布局要求。

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