LLC 谐振变换器中MOSFET失效模式的分析

更新时间 2014-12-10

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到 这个目标,需要提高开关频率,从而降低功率损耗、系 统整体尺寸以及重量。对于当今的开关电源(SMPS)而 言,具有高可靠性也是非常重要的。零电压开关(ZVS) 或零电流开关(ZCS) 拓扑允许采用高频开关技术,可以 最大限度地降低开关损耗。ZVS拓扑允许工作在高频开 关下,能够改善效率,能够降低应用的尺寸,还能够降 低功率开关的应力,因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用,包括高端服务 器、平板显示器电源的应用。但是,包含有LLC谐振半 桥的ZVS桥式拓扑,需要一个带有反向快速恢复体二极 管的MOSFET,才能获得更高的可靠性。本应用笔记讨 论了LLC谐振变换器中潜在失效模式和机理,并为防止 失效,提供一种简单、高性价比的解决方案。

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