谐振变换器用新品功率MOSFET-UniFET TM II耐用体二极管特性

更新时间 2014-12-10

谐振变换器是一种十分令人关注的电源拓扑。与以前的 功率拓扑相比,这种变换器可提升功效,减少元器件数 量和抑制电磁干扰,因而在众多应用场合中得到了广泛 的应用。 软开关是谐振变换器的典型特征。但是,谐振变换器中使用的体二极管有时会导致系统故障。对于这类拓扑,其中体二极管存储的电荷需要彻底地释放,防止产生过高的电流和电压尖峰,包括dv/dt和di/dt。因此,功率MOSFETs的一些关键参数,比如Coss(er)、Qrr, 以及反向恢复dv/dt,可直接影响谐振变换器的动态性能。为适应谐振变换器,一种被称为UniFET™ II的新型功率MOSFET得到了优化设计。它可以使得谐振变换器具有提供更高的可靠性和工作效率。

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