SupreMOS ® MOSFET 栅极电阻设计指南

更新时间 2014-12-10

开关速度更快的功率型MOSFET可以实现更高的功率转换 效率。 但是,随着开关速度的提高,器件和电路板上 的寄生元件对开关特性的影响也随之加大。 从而带来 一些副作用,比如出现电压尖或EMI性能恶化。 由于功 率型 MOSFET 是栅极控制型设备,所以实现平衡的重点 在于优化栅极驱动电路。 栅极驱动设计中的关键控制 参数为外部串联栅极电阻 (Rg) 。 本指南旨在介绍 SupreMOS®MOSFET 在硬开关应用中的最小和最大 Rg。

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