FCP22N60N / FCPF22N60NT N沟道SuperMOS ® MOSFET 600 V, 22 A, 165 m

更新时间 2014-12-29

SuperMOS®MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rsp on- resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET 产品非常适合高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。

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