FDP047N10 N 沟道PowerTrench ® MOSFET 100 V,164 A,4.7 m

更新时间 2014-12-29

此N 沟道MOSFET 采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

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