FDB082N15A N 沟道PowerTrench ® MOSFET 150 V,117 A,8.2 mΩ

更新时间 2014-12-29

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

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