FDD850N10l N 沟道PowerTrench ® MOSFET 100 V,15.7 A,75 mΩ

更新时间 2014-12-29

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺专用于最小化通态电阻,同时保持卓越的开关性能。

类型 文档标题 格式 版本 文件大小 下载次数
中文文档 FDD850N10L pdf 1.0 602.36KB 124
论坛已做迁移,有相关技术资料和问题讨论可以到电路城对应版块(“模拟/电源”)
X