FCH22N60N N 沟道SupreMOS® MOSFET 600 V, 22 A, 165 mΩ

更新时间 2015-01-19

SupreMOS® MOSFET 是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ) 技术,该技术采用区别于传统 SJ MOSFET 产品的深沟槽填充工 艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的 Rsp on- resistance (导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。 SupreMOS MOSFET 产品非常适合高频开关电源转换器应用, 如功率因数校正 (PFC)、服务器 /电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。

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