FDP090N10 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100 V, 75 A, 9 mΩ

更新时间 2015-01-19

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制的。

类型 文档标题 格式 版本 文件大小 下载次数
中文文档 FDP090N10 pdf 1.0 290.48KB 142
论坛已做迁移,有相关技术资料和问题讨论可以到电路城对应版块(“模拟/电源”)
X